相信我們大家可以對于可控硅并不陌生了，現代在電氣工程行業的不斷創新發展，可控硅的使用管理范圍問題越來越廣，但是你對可控硅的了解有多少呢，它的主要技術參數有哪些你知道嗎？下面為大家進行講解。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。

可控硅的主要參數有：

（1）額定通態平均電流IT在一定條件下，可以連續通過陽極-陰極之間的50hz正弦半波電流的平均值。

(2)當沒有觸發信號施加到開路柵極并且陽極正向電壓沒有超過導通電壓時，正向阻斷峰值電壓VPF可以重復施加在晶閘管兩端的正向峰值電壓。 晶閘管承受的正向電壓峰值不應超過本手冊中給出的參數值。

(3)反向過沖峰值電壓 vpr 當晶閘管處于反向關斷狀態時，反向峰值電壓可以反復施加到晶閘管的兩端。使用時，不要超過手冊中給出的參數值。

(4)柵極觸發電流Ig1，觸發電壓VGT。在規定的環境溫度下，當在陽極和陰極之間施加一定的電壓時，晶閘管從關斷狀態變為導通狀態需要較小的柵極電流和電壓。

(5) 維持工作電流IH在規定進行溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的較小以及陽極產生正向影響電流。

近年來，許多新型可控硅器相繼出版，如適合高頻應用的快速可控硅，可用正負觸發信號雙向控制，可用正觸發信號引導，可控硅器可用負觸發信號使可控硅器關閉等。