如何辨別可控硅的損壞原因？

 當可控硅損壞后需求可以查看學生剖析其緣由時，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出一個芯片，調查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。下面我們介紹以下幾種比較常見問題表象深入剖析。

電流損壞。電流損傷的痕跡的特征是芯片被燒成一個坑和粗糙，遠離控制桿。

電壓擊穿。可控硅(scr)被不可接受的電壓損壞，其芯片上有一個小的、發光的孔，有時可以通過擴展器看到。原因可能是電子管本身對電壓降的電阻或斷開電路時發生的高壓擊穿。

電流上升率損害。痕跡和電流損傷一樣，方向不是靠近控制桿，就是在控制桿上方。

邊緣損傷。它發生在芯片的外圓倒角處，有微小的亮孔。用放大鏡可以看到倒角面上細小的金屬劃痕。這是由制造商的粗心大意造成的。它會導致電壓崩潰。

以上4種緣由這些都是通過可控硅的常見問題損壞緣由，遇到可控硅損壞其他事情，應鎮定剖析。