規則1。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。為了引導流管（或bi），你必須有一個柵極電流IGT，直到達到負載電流

伊爾。 考慮到可能遇到的低溫，必須滿足該條件。

第2條規則。若要斷開(開關)晶閘管(或雙向晶閘管) ，負載電流必須在一段時間內恢復到截止狀態。上述條件必須在可能的高操作溫度下滿足。

規則3。在設計雙向可控硅觸發電路時，應盡可能避免使用3+象限(WT2-，+)。

規則4。為減少對于雜波進行吸收，門極連線工作長度可以降至低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若

使用硬線，與螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1的電阻為1kΩ或更小。高頻旁路電容

以及柵極之間的串聯電阻。 另一個解決方案是使用H系列低靈敏度triac。

規則5。 如果 dvd/dt 或 dvcom/dt 可能導致問題，則在 mt1和 mt2之間添加 rc 緩沖區。

如果高dICOMu002Fdt可能導致問題，增加幾mH的電感和串聯負載。

另一種方式解決管理辦法，采用Hi-Com 雙向控制可控硅。

規則6。如果在嚴重和異常的供電時刻可能超過雙向可控硅的VDRM，請使用它

列措施之一：

負載上串聯電感數 μ H以限制DIT/dt的不飽和電感器。

在電源端與電源相連接，并在電源端加有濾波電路。

規則7。選擇一個好的門極觸發電路，避免3+象限工作狀態，可以大大提高雙向晶閘管的性能。

dIT/dt 承受工作能力。

規則8。如果可能超過雙向CR的dIT/dt，則在負載上連接幾個H芯電感

或負溫度系數熱敏電阻。 另一個解決方案：電阻負載的零電壓傳導。

規則9。當設備固定到散熱器上時，應避免雙向應力。固定，然后焊接導線。不要放

鉚釘芯軸放在器件接口片一側。

規則10。為了一個長期穩定可靠安全工作，應保證Rth j-a 足夠低，維持Tj 不高于Tjmax ,其值相應于企業可能的較高社會環境進行溫度。