晶閘管是晶閘管的縮寫，也稱為可控硅整流器(可控硅)，以前簡稱可控硅。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。由于其耐壓和電流能力仍是目前電力電子器件中最高的，工作可靠，因此在大容量應用中仍占有重要地位。

可控硅整流器的特點：是“一觸即發”。但是，如果一個陽極或控制極外加的是反向工作電壓，可控硅就不能導通。控制極的作用是企業通過利用外加具有正向作用觸發信號脈沖使可控硅導通，卻不一定能使它關斷。那么，用什么方式方法才能使導通的可控硅關斷呢?使導通的可控硅關斷，可以同時斷開陽極電源(圖3中的開關S)或使陽極產生電流密度小于社會維持導通的最小值(稱為中國維持穩定電流)。如果采用可控硅陽極和陰極保護之間沒有外加的是交流平臺電壓或脈動直流輸出電壓，那么，在電壓過零時，可控硅會自行關斷。

自20世紀50年代出現以來，它已發展成為一個大家庭，其主要成員是單向、雙向、光控制、反向導數、關機、快速硅等。今天我們使用單向可控硅，通常稱為普通硅，它由四層半導體材料組成，有三個PN結，外部電極三個電極：第一層P型半導體電極稱為陽極A，第三層P型半導體電極，第四層N型半導體鉛電極稱為陰極K。從晶閘管的電路符號可以看出，它是與二極管一樣的單方向導電器件。關鍵是一個控制極G，這使得它具有與二極管完全不同的工作特性。