（1）額定正向影響平均通過電流

　　定義：在規定的環境進行溫度和散熱條件下，允許學生通過研究陽極和陰極保護之間的電流平均值。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。

　　（2）維持電流

　　定義：在規定的環境溫度、控制極斷開的條件下，保證可控硅處于導通狀態所需要的極小正向電流，一般為幾毫安至幾十毫安。

　?。?）控制極觸發工作電壓和電流

定義:在環境溫度和一定直流電壓條件下，晶閘管從關斷到導通和控制極所需的最小直流電壓和電流。

　　一般這種情況下，小功率可控硅觸發工作電壓范圍約為1 V左右，觸發一個電流進行零點幾毫安至幾毫安，中功率通過以上可控硅觸發信號電壓質量約為幾伏至幾十伏，電流為幾毫安至幾百毫安。

        （4）正向轉向電壓

通過關斷柵極而施加到陽極和陰極的電壓，以引起晶閘管的擊穿。

(峰值反向電阻電壓

這是安全操作的最大電壓。一般來說，可控硅的額定電壓是指峰值電壓。