控硅的存在發(fā)展起到很重要的作用，在一些具有特殊教育情況時(shí)，就需要將可控硅進(jìn)行一個(gè)串聯(lián)或者通過(guò)并聯(lián)，從而能夠達(dá)到設(shè)計(jì)要求，接下來(lái)來(lái)說(shuō)說(shuō)可控硅串聯(lián)和并聯(lián)的區(qū)別有哪些？

當(dāng)可控硅額定電壓小于要求時(shí)，可以串聯(lián)。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。采用可控硅串聯(lián)希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。

當(dāng)晶閘管靜態(tài)電壓不均勻時(shí)，串聯(lián)晶閘管的漏電流相同，但由于靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件的電壓分布不同。 這是為了選擇參數(shù)和特性盡可能與晶閘管一致，利用電阻電壓均衡，Rp電阻應(yīng)遠(yuǎn)小于器件的阻塞電阻、反向電阻。

當(dāng)晶閘管動(dòng)態(tài)電壓因器件動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性的不同而不相等時(shí)，應(yīng)盡可能選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性相同的晶閘管，并用 rc 并聯(lián)支路進(jìn)行動(dòng)態(tài)電壓均衡，采用柵極極強(qiáng)脈沖觸發(fā)可以明顯減小器件開(kāi)啟時(shí)間的差異。

與晶閘管串聯(lián)不同的是，晶閘管并聯(lián)會(huì)使并聯(lián)的多個(gè)器件承受更大的電流，分別由于靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性參數(shù)的不同，導(dǎo)致電流分配不均勻。此時(shí)應(yīng)盡可能選擇特性參數(shù)一致的器件，采用均流電抗器，用極強(qiáng)的門(mén)極脈沖觸發(fā)也會(huì)有助于動(dòng)態(tài)均流。

需要我們注意的是當(dāng)可控硅需要進(jìn)行同時(shí)通過(guò)串聯(lián)和并聯(lián)時(shí)，通常可以采用先串后并的方法聯(lián)接。